壓力傳感器有很多形式，每種結構形式的過載保護設計方法也是各不相同的，眾多方法都有各自的優點和缺點，采用MEMS 技術的小量程、高靈敏壓力傳感器通常有平膜、島膜、梁膜等結構，在設計過載保護時，一般采用凸臺等方法實現，形成方法有背部刻蝕技術、硅直接鍵合技術、玻璃刻蝕技術等。然而這些結構一般都有一個很大的局限性就是腔體尺寸較大，進一步提高靈敏度受到限制，而且降低了硅片利用率，增加了制造工藝的復雜度，提高了生產成本。目前小量程、高靈敏壓力傳感器的研究熱點集中在犧牲層結構壓力傳感器，這主要是因為犧牲層結構壓力傳感器彈性膜片很薄，厚度可做到2 μm，甚至更薄。在這樣薄的結構上，如果采用擴散硅或多晶硅薄膜作為犧牲層結構壓力傳感器的應變電阻，其厚度相對較大，對彈性膜片應力分布影響很大，不利于犧牲層結構壓力傳感器的性能優化，因此采用多晶硅納米薄膜制作應變電阻更能發揮犧牲層技術的優點。

　　過載保護是每種傳感器都要考慮的，因為在使用過程中可能會出現測量值大于量程的情況，只有設計了過載保護的傳感器才能更好的使用，也才能使用得更久。具體每種傳感器的過載保護是如何設計的，過載范圍是多少都是不同的，所以不管是買哪種傳感器一定要了解它的過載保護是多少，這樣才能更好的方便使用，在未來使用過程中也不會出現由于過載燒壞電路的情況。